Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MVB50P03HDLT4G
INTEGRATED CIRCUIT
Číslo dílu
MVB50P03HDLT4G
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4.9nF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9694 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MVB50P03HDLT4G
MVB50P03HDLT4G Elektronické komponenty
MVB50P03HDLT4G Odbyt
MVB50P03HDLT4G Dodavatel
MVB50P03HDLT4G Distributor
MVB50P03HDLT4G Datová tabulka
MVB50P03HDLT4G Fotky
MVB50P03HDLT4G Cena
MVB50P03HDLT4G Nabídka
MVB50P03HDLT4G Nejnižší cena
MVB50P03HDLT4G Vyhledávání
MVB50P03HDLT4G Nákup
MVB50P03HDLT4G Chip