Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MTB30P06VT4G
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
Číslo dílu
MTB30P06VT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38927 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MTB30P06VT4G
MTB30P06VT4G Elektronické komponenty
MTB30P06VT4G Odbyt
MTB30P06VT4G Dodavatel
MTB30P06VT4G Distributor
MTB30P06VT4G Datová tabulka
MTB30P06VT4G Fotky
MTB30P06VT4G Cena
MTB30P06VT4G Nabídka
MTB30P06VT4G Nejnižší cena
MTB30P06VT4G Vyhledávání
MTB30P06VT4G Nákup
MTB30P06VT4G Chip