Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Číslo dílu
FQT13N06LTF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223-4
Ztráta energie (max.)
2.1W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43242 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQT13N06LTF
FQT13N06LTF Elektronické komponenty
FQT13N06LTF Odbyt
FQT13N06LTF Dodavatel
FQT13N06LTF Distributor
FQT13N06LTF Datová tabulka
FQT13N06LTF Fotky
FQT13N06LTF Cena
FQT13N06LTF Nabídka
FQT13N06LTF Nejnižší cena
FQT13N06LTF Vyhledávání
FQT13N06LTF Nákup
FQT13N06LTF Chip