Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Číslo dílu
FQI8N60CTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1255pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39116 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQI8N60CTU
FQI8N60CTU Elektronické komponenty
FQI8N60CTU Odbyt
FQI8N60CTU Dodavatel
FQI8N60CTU Distributor
FQI8N60CTU Datová tabulka
FQI8N60CTU Fotky
FQI8N60CTU Cena
FQI8N60CTU Nabídka
FQI8N60CTU Nejnižší cena
FQI8N60CTU Vyhledávání
FQI8N60CTU Nákup
FQI8N60CTU Chip