Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQH8N100C
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Číslo dílu
FQH8N100C
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
225W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.45 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39558 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQH8N100C
FQH8N100C Elektronické komponenty
FQH8N100C Odbyt
FQH8N100C Dodavatel
FQH8N100C Distributor
FQH8N100C Datová tabulka
FQH8N100C Fotky
FQH8N100C Cena
FQH8N100C Nabídka
FQH8N100C Nejnižší cena
FQH8N100C Vyhledávání
FQH8N100C Nákup
FQH8N100C Chip