Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD9N08TM

FQD9N08TM

MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
Číslo dílu
FQD9N08TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
210 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42547 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD9N08TM
FQD9N08TM Elektronické komponenty
FQD9N08TM Odbyt
FQD9N08TM Dodavatel
FQD9N08TM Distributor
FQD9N08TM Datová tabulka
FQD9N08TM Fotky
FQD9N08TM Cena
FQD9N08TM Nabídka
FQD9N08TM Nejnižší cena
FQD9N08TM Vyhledávání
FQD9N08TM Nákup
FQD9N08TM Chip