Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB9N25CTM
MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Číslo dílu
FQB9N25CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30056 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB9N25CTM
FQB9N25CTM Elektronické komponenty
FQB9N25CTM Odbyt
FQB9N25CTM Dodavatel
FQB9N25CTM Distributor
FQB9N25CTM Datová tabulka
FQB9N25CTM Fotky
FQB9N25CTM Cena
FQB9N25CTM Nabídka
FQB9N25CTM Nejnižší cena
FQB9N25CTM Vyhledávání
FQB9N25CTM Nákup
FQB9N25CTM Chip