Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP7N50

FDP7N50

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220
Číslo dílu
FDP7N50
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43488 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP7N50
FDP7N50 Elektronické komponenty
FDP7N50 Odbyt
FDP7N50 Dodavatel
FDP7N50 Distributor
FDP7N50 Datová tabulka
FDP7N50 Fotky
FDP7N50 Cena
FDP7N50 Nabídka
FDP7N50 Nejnižší cena
FDP7N50 Vyhledávání
FDP7N50 Nákup
FDP7N50 Chip