Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP4D5N10C
FET ENGR DEV-NOT REL
Číslo dílu
FDP4D5N10C
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 310µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5065pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47755 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDP4D5N10C
FDP4D5N10C Elektronické komponenty
FDP4D5N10C Odbyt
FDP4D5N10C Dodavatel
FDP4D5N10C Distributor
FDP4D5N10C Datová tabulka
FDP4D5N10C Fotky
FDP4D5N10C Cena
FDP4D5N10C Nabídka
FDP4D5N10C Nejnižší cena
FDP4D5N10C Vyhledávání
FDP4D5N10C Nákup
FDP4D5N10C Chip