Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP33N25

FDP33N25

MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
Číslo dílu
FDP33N25
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
235W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2135pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43277 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP33N25
FDP33N25 Elektronické komponenty
FDP33N25 Odbyt
FDP33N25 Dodavatel
FDP33N25 Distributor
FDP33N25 Datová tabulka
FDP33N25 Fotky
FDP33N25 Cena
FDP33N25 Nabídka
FDP33N25 Nejnižší cena
FDP33N25 Vyhledávání
FDP33N25 Nákup
FDP33N25 Chip