Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP19N40

FDP19N40

MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
Číslo dílu
FDP19N40
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
215W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
400V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2115pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23624 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP19N40
FDP19N40 Elektronické komponenty
FDP19N40 Odbyt
FDP19N40 Dodavatel
FDP19N40 Distributor
FDP19N40 Datová tabulka
FDP19N40 Fotky
FDP19N40 Cena
FDP19N40 Nabídka
FDP19N40 Nejnižší cena
FDP19N40 Vyhledávání
FDP19N40 Nákup
FDP19N40 Chip