Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP10N60NZ

FDP10N60NZ

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Číslo dílu
FDP10N60NZ
Výrobce/značka
Série
UniFET-II™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
185W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1475pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42318 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP10N60NZ
FDP10N60NZ Elektronické komponenty
FDP10N60NZ Odbyt
FDP10N60NZ Dodavatel
FDP10N60NZ Distributor
FDP10N60NZ Datová tabulka
FDP10N60NZ Fotky
FDP10N60NZ Cena
FDP10N60NZ Nabídka
FDP10N60NZ Nejnižší cena
FDP10N60NZ Vyhledávání
FDP10N60NZ Nákup
FDP10N60NZ Chip