Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP18N50

FDP18N50

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Číslo dílu
FDP18N50
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
235W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
265 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2860pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35649 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP18N50
FDP18N50 Elektronické komponenty
FDP18N50 Odbyt
FDP18N50 Dodavatel
FDP18N50 Distributor
FDP18N50 Datová tabulka
FDP18N50 Fotky
FDP18N50 Cena
FDP18N50 Nabídka
FDP18N50 Nejnižší cena
FDP18N50 Vyhledávání
FDP18N50 Nákup
FDP18N50 Chip