Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP18N20F

FDP18N20F

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
Číslo dílu
FDP18N20F
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
145 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45543 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP18N20F
FDP18N20F Elektronické komponenty
FDP18N20F Odbyt
FDP18N20F Dodavatel
FDP18N20F Distributor
FDP18N20F Datová tabulka
FDP18N20F Fotky
FDP18N20F Cena
FDP18N20F Nabídka
FDP18N20F Nejnižší cena
FDP18N20F Vyhledávání
FDP18N20F Nákup
FDP18N20F Chip