Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Číslo dílu
FDP12N60NZ
Výrobce/značka
Série
UniFET-II™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
240W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1676pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7641 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP12N60NZ
FDP12N60NZ Elektronické komponenty
FDP12N60NZ Odbyt
FDP12N60NZ Dodavatel
FDP12N60NZ Distributor
FDP12N60NZ Datová tabulka
FDP12N60NZ Fotky
FDP12N60NZ Cena
FDP12N60NZ Nabídka
FDP12N60NZ Nejnižší cena
FDP12N60NZ Vyhledávání
FDP12N60NZ Nákup
FDP12N60NZ Chip