Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN5618P_G
INTEGRATED CIRCUIT
Číslo dílu
FDN5618P_G
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
430pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33499 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDN5618P_G
FDN5618P_G Elektronické komponenty
FDN5618P_G Odbyt
FDN5618P_G Dodavatel
FDN5618P_G Distributor
FDN5618P_G Datová tabulka
FDN5618P_G Fotky
FDN5618P_G Cena
FDN5618P_G Nabídka
FDN5618P_G Nejnižší cena
FDN5618P_G Vyhledávání
FDN5618P_G Nákup
FDN5618P_G Chip