Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDN028N20
MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3
Číslo dílu
FDN028N20
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3
Ztráta energie (max.)
1.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43500 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDN028N20
FDN028N20 Elektronické komponenty
FDN028N20 Odbyt
FDN028N20 Dodavatel
FDN028N20 Distributor
FDN028N20 Datová tabulka
FDN028N20 Fotky
FDN028N20 Cena
FDN028N20 Nabídka
FDN028N20 Nejnižší cena
FDN028N20 Vyhledávání
FDN028N20 Nákup
FDN028N20 Chip