Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDL100N50F
MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
Číslo dílu
FDL100N50F
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264
Ztráta energie (max.)
2500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
238nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21738 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDL100N50F
FDL100N50F Elektronické komponenty
FDL100N50F Odbyt
FDL100N50F Dodavatel
FDL100N50F Distributor
FDL100N50F Datová tabulka
FDL100N50F Fotky
FDL100N50F Cena
FDL100N50F Nabídka
FDL100N50F Nejnižší cena
FDL100N50F Vyhledávání
FDL100N50F Nákup
FDL100N50F Chip