Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDI33N25TU
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Číslo dílu
FDI33N25TU
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
235W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2135pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29094 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDI33N25TU
FDI33N25TU Elektronické komponenty
FDI33N25TU Odbyt
FDI33N25TU Dodavatel
FDI33N25TU Distributor
FDI33N25TU Datová tabulka
FDI33N25TU Fotky
FDI33N25TU Cena
FDI33N25TU Nabídka
FDI33N25TU Nejnižší cena
FDI33N25TU Vyhledávání
FDI33N25TU Nákup
FDI33N25TU Chip