Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDI045N10A

FDI045N10A

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Číslo dílu
FDI045N10A
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
263W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5270pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47270 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDI045N10A
FDI045N10A Elektronické komponenty
FDI045N10A Odbyt
FDI045N10A Dodavatel
FDI045N10A Distributor
FDI045N10A Datová tabulka
FDI045N10A Fotky
FDI045N10A Cena
FDI045N10A Nabídka
FDI045N10A Nejnižší cena
FDI045N10A Vyhledávání
FDI045N10A Nákup
FDI045N10A Chip