FDD7N25LZTM
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
Číslo dílu
FDD7N25LZTM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
56W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
635pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46205 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM Elektronické komponenty
FDD7N25LZTM Odbyt
FDD7N25LZTM Dodavatel
FDD7N25LZTM Distributor
FDD7N25LZTM Datová tabulka
FDD7N25LZTM Fotky
FDD7N25LZTM Cena
FDD7N25LZTM Nabídka
FDD7N25LZTM Nejnižší cena
FDD7N25LZTM Vyhledávání
FDD7N25LZTM Nákup
FDD7N25LZTM Chip