Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
Číslo dílu
FDD18N20LZ
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1575pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38291 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD18N20LZ
FDD18N20LZ Elektronické komponenty
FDD18N20LZ Odbyt
FDD18N20LZ Dodavatel
FDD18N20LZ Distributor
FDD18N20LZ Datová tabulka
FDD18N20LZ Fotky
FDD18N20LZ Cena
FDD18N20LZ Nabídka
FDD18N20LZ Nejnižší cena
FDD18N20LZ Vyhledávání
FDD18N20LZ Nákup
FDD18N20LZ Chip