FDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
Číslo dílu
FDD10N20LZTM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
585pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29138 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD10N20LZTM
FDD10N20LZTM Elektronické komponenty
FDD10N20LZTM Odbyt
FDD10N20LZTM Dodavatel
FDD10N20LZTM Distributor
FDD10N20LZTM Datová tabulka
FDD10N20LZTM Fotky
FDD10N20LZTM Cena
FDD10N20LZTM Nabídka
FDD10N20LZTM Nejnižší cena
FDD10N20LZTM Vyhledávání
FDD10N20LZTM Nákup
FDD10N20LZTM Chip