FDD1600N10ALZ
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Číslo dílu
FDD1600N10ALZ
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
14.9W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13046 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ Elektronické komponenty
FDD1600N10ALZ Odbyt
FDD1600N10ALZ Dodavatel
FDD1600N10ALZ Distributor
FDD1600N10ALZ Datová tabulka
FDD1600N10ALZ Fotky
FDD1600N10ALZ Cena
FDD1600N10ALZ Nabídka
FDD1600N10ALZ Nejnižší cena
FDD1600N10ALZ Vyhledávání
FDD1600N10ALZ Nákup
FDD1600N10ALZ Chip