Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB52N20TM

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Číslo dílu
FDB52N20TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41395 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDB52N20TM
FDB52N20TM Elektronické komponenty
FDB52N20TM Odbyt
FDB52N20TM Dodavatel
FDB52N20TM Distributor
FDB52N20TM Datová tabulka
FDB52N20TM Fotky
FDB52N20TM Cena
FDB52N20TM Nabídka
FDB52N20TM Nejnižší cena
FDB52N20TM Vyhledávání
FDB52N20TM Nákup
FDB52N20TM Chip