Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB28N30TM

FDB28N30TM

MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Číslo dílu
FDB28N30TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
129 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18067 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDB28N30TM
FDB28N30TM Elektronické komponenty
FDB28N30TM Odbyt
FDB28N30TM Dodavatel
FDB28N30TM Distributor
FDB28N30TM Datová tabulka
FDB28N30TM Fotky
FDB28N30TM Cena
FDB28N30TM Nabídka
FDB28N30TM Nejnižší cena
FDB28N30TM Vyhledávání
FDB28N30TM Nákup
FDB28N30TM Chip