Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB20N50F

FDB20N50F

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Číslo dílu
FDB20N50F
Výrobce/značka
Série
FRFET®, UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3390pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40274 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDB20N50F
FDB20N50F Elektronické komponenty
FDB20N50F Odbyt
FDB20N50F Dodavatel
FDB20N50F Distributor
FDB20N50F Datová tabulka
FDB20N50F Fotky
FDB20N50F Cena
FDB20N50F Nabídka
FDB20N50F Nejnižší cena
FDB20N50F Vyhledávání
FDB20N50F Nákup
FDB20N50F Chip