Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDA50N50

FDA50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
Číslo dílu
FDA50N50
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN
Ztráta energie (max.)
625W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
137nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6460pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44678 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDA50N50
FDA50N50 Elektronické komponenty
FDA50N50 Odbyt
FDA50N50 Dodavatel
FDA50N50 Distributor
FDA50N50 Datová tabulka
FDA50N50 Fotky
FDA50N50 Cena
FDA50N50 Nabídka
FDA50N50 Nejnižší cena
FDA50N50 Vyhledávání
FDA50N50 Nákup
FDA50N50 Chip