FCD2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
Číslo dílu
FCD2250N80Z
Výrobce/značka
Série
SuperFET® II
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
39W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 260µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
585pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8855 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FCD2250N80Z
FCD2250N80Z Elektronické komponenty
FCD2250N80Z Odbyt
FCD2250N80Z Dodavatel
FCD2250N80Z Distributor
FCD2250N80Z Datová tabulka
FCD2250N80Z Fotky
FCD2250N80Z Cena
FCD2250N80Z Nabídka
FCD2250N80Z Nejnižší cena
FCD2250N80Z Vyhledávání
FCD2250N80Z Nákup
FCD2250N80Z Chip