Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FCB199N65S3

FCB199N65S3

MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Číslo dílu
FCB199N65S3
Výrobce/značka
Série
SuperFET® III
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
98W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
199 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1225pF @ 400V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24910 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FCB199N65S3
FCB199N65S3 Elektronické komponenty
FCB199N65S3 Odbyt
FCB199N65S3 Dodavatel
FCB199N65S3 Distributor
FCB199N65S3 Datová tabulka
FCB199N65S3 Fotky
FCB199N65S3 Cena
FCB199N65S3 Nabídka
FCB199N65S3 Nejnižší cena
FCB199N65S3 Vyhledávání
FCB199N65S3 Nákup
FCB199N65S3 Chip