Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FCB110N65F

FCB110N65F

MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Číslo dílu
FCB110N65F
Výrobce/značka
Série
FRFET®, SuperFET® II
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4895pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23007 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FCB110N65F
FCB110N65F Elektronické komponenty
FCB110N65F Odbyt
FCB110N65F Dodavatel
FCB110N65F Distributor
FCB110N65F Datová tabulka
FCB110N65F Fotky
FCB110N65F Cena
FCB110N65F Nabídka
FCB110N65F Nejnižší cena
FCB110N65F Vyhledávání
FCB110N65F Nákup
FCB110N65F Chip