ON Semiconductor
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DBD10G-E
DataSheets

DBD10G-E

BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
Číslo dílu
DBD10G-E
Výrobce/značka
ON Semiconductor
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
Standard
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
-
Typ diody
Single Phase
Napětí – převrácený vrchol (max.)
600V
Aktuální – Opravený průměr (Io)
1A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.05V @ 500mA
Proud - Reverzní únik @ Vr
10µA @ 600V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8190 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
DBD10G-E DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP
DBD10G-E
DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP
ON Semiconductor
DBD10G-E BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
DBD10G-E
BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
ON Semiconductor
DBD10G-E DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP
DBD10G-E
DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4DIP
ON Semiconductor
DBD10G-E BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
DBD10G-E
BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
ON Semiconductor
DBD10G-TM-E DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD
DBD10G-TM-E
DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD
ON Semiconductor
DBD10G-TM-E DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD
DBD10G-TM-E
DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD
ON Semiconductor
Klíčová slova DBD10G-E
DBD10G-E Elektronické komponenty
DBD10G-E Odbyt
DBD10G-E Dodavatel
DBD10G-E Distributor
DBD10G-E Datová tabulka
DBD10G-E Fotky
DBD10G-E Cena
DBD10G-E Nabídka
DBD10G-E Nejnižší cena
DBD10G-E Vyhledávání
DBD10G-E Nákup
DBD10G-E Chip