Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHM30NQ10T,518
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
Číslo dílu
PHM30NQ10T,518
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
8-HVSON (6x5)
Ztráta energie (max.)
62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53784 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHM30NQ10T,518
PHM30NQ10T,518 Elektronické komponenty
PHM30NQ10T,518 Odbyt
PHM30NQ10T,518 Dodavatel
PHM30NQ10T,518 Distributor
PHM30NQ10T,518 Datová tabulka
PHM30NQ10T,518 Fotky
PHM30NQ10T,518 Cena
PHM30NQ10T,518 Nabídka
PHM30NQ10T,518 Nejnižší cena
PHM30NQ10T,518 Vyhledávání
PHM30NQ10T,518 Nákup
PHM30NQ10T,518 Chip