Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHD21N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Číslo dílu
PHD21N06LT,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
56W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
70 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34198 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHD21N06LT,118
PHD21N06LT,118 Elektronické komponenty
PHD21N06LT,118 Odbyt
PHD21N06LT,118 Dodavatel
PHD21N06LT,118 Distributor
PHD21N06LT,118 Datová tabulka
PHD21N06LT,118 Fotky
PHD21N06LT,118 Cena
PHD21N06LT,118 Nabídka
PHD21N06LT,118 Nejnižší cena
PHD21N06LT,118 Vyhledávání
PHD21N06LT,118 Nákup
PHD21N06LT,118 Chip