Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHD9NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
Číslo dílu
PHD9NQ20T,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
88W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
959pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20733 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHD9NQ20T,118
PHD9NQ20T,118 Elektronické komponenty
PHD9NQ20T,118 Odbyt
PHD9NQ20T,118 Dodavatel
PHD9NQ20T,118 Distributor
PHD9NQ20T,118 Datová tabulka
PHD9NQ20T,118 Fotky
PHD9NQ20T,118 Cena
PHD9NQ20T,118 Nabídka
PHD9NQ20T,118 Nejnižší cena
PHD9NQ20T,118 Vyhledávání
PHD9NQ20T,118 Nákup
PHD9NQ20T,118 Chip