Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V SOT23-3
Číslo dílu
TN5325K1-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TA)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB (SOT23)
Ztráta energie (max.)
360mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
150mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25364 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TN5325K1-G
TN5325K1-G Elektronické komponenty
TN5325K1-G Odbyt
TN5325K1-G Dodavatel
TN5325K1-G Distributor
TN5325K1-G Datová tabulka
TN5325K1-G Fotky
TN5325K1-G Cena
TN5325K1-G Nabídka
TN5325K1-G Nejnižší cena
TN5325K1-G Vyhledávání
TN5325K1-G Nákup
TN5325K1-G Chip