Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Číslo dílu
LND150N3-G-P003
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Dodavatelský balíček zařízení
TO-92-3
Ztráta energie (max.)
740mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32559 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova LND150N3-G-P003
LND150N3-G-P003 Elektronické komponenty
LND150N3-G-P003 Odbyt
LND150N3-G-P003 Dodavatel
LND150N3-G-P003 Distributor
LND150N3-G-P003 Datová tabulka
LND150N3-G-P003 Fotky
LND150N3-G-P003 Cena
LND150N3-G-P003 Nabídka
LND150N3-G-P003 Nejnižší cena
LND150N3-G-P003 Vyhledávání
LND150N3-G-P003 Nákup
LND150N3-G-P003 Chip