Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
LND01K1-G
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Číslo dílu
LND01K1-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-25°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-74A, SOT-753
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-5
Ztráta energie (max.)
360mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
9V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
330mA (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
VGS (max.)
+0.6V, -12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25003 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova LND01K1-G
LND01K1-G Elektronické komponenty
LND01K1-G Odbyt
LND01K1-G Dodavatel
LND01K1-G Distributor
LND01K1-G Datová tabulka
LND01K1-G Fotky
LND01K1-G Cena
LND01K1-G Nabídka
LND01K1-G Nejnižší cena
LND01K1-G Vyhledávání
LND01K1-G Nákup
LND01K1-G Chip