Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MIEB101H1200EH
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Číslo dílu
MIEB101H1200EH
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
E3
Výkon - Max
630W
Konfigurace
Full Bridge Inverter
Dodavatelský balíček zařízení
E3
Proud – kolektor (Ic) (Max)
183A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
300µA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 100A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
7.43nF @ 25V
Vstupte
Standard
NTC termistor
No
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5721 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MIEB101H1200EH
MIEB101H1200EH Elektronické komponenty
MIEB101H1200EH Odbyt
MIEB101H1200EH Dodavatel
MIEB101H1200EH Distributor
MIEB101H1200EH Datová tabulka
MIEB101H1200EH Fotky
MIEB101H1200EH Cena
MIEB101H1200EH Nabídka
MIEB101H1200EH Nejnižší cena
MIEB101H1200EH Vyhledávání
MIEB101H1200EH Nákup
MIEB101H1200EH Chip