Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Číslo dílu
IXTY2R4N50P
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19976 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY2R4N50P
IXTY2R4N50P Elektronické komponenty
IXTY2R4N50P Odbyt
IXTY2R4N50P Dodavatel
IXTY2R4N50P Distributor
IXTY2R4N50P Datová tabulka
IXTY2R4N50P Fotky
IXTY2R4N50P Cena
IXTY2R4N50P Nabídka
IXTY2R4N50P Nejnižší cena
IXTY2R4N50P Vyhledávání
IXTY2R4N50P Nákup
IXTY2R4N50P Chip