Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY02N50D
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
Číslo dílu
IXTY02N50D
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9453 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY02N50D
IXTY02N50D Elektronické komponenty
IXTY02N50D Odbyt
IXTY02N50D Dodavatel
IXTY02N50D Distributor
IXTY02N50D Datová tabulka
IXTY02N50D Fotky
IXTY02N50D Cena
IXTY02N50D Nabídka
IXTY02N50D Nejnižší cena
IXTY02N50D Vyhledávání
IXTY02N50D Nákup
IXTY02N50D Chip