Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Číslo dílu
IXTY1R4N60P
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54580 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P Elektronické komponenty
IXTY1R4N60P Odbyt
IXTY1R4N60P Dodavatel
IXTY1R4N60P Distributor
IXTY1R4N60P Datová tabulka
IXTY1R4N60P Fotky
IXTY1R4N60P Cena
IXTY1R4N60P Nabídka
IXTY1R4N60P Nejnižší cena
IXTY1R4N60P Vyhledávání
IXTY1R4N60P Nákup
IXTY1R4N60P Chip