Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Číslo dílu
IXTY08N100D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38325 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTY08N100D2
IXTY08N100D2 Elektronické komponenty
IXTY08N100D2 Odbyt
IXTY08N100D2 Dodavatel
IXTY08N100D2 Distributor
IXTY08N100D2 Datová tabulka
IXTY08N100D2 Fotky
IXTY08N100D2 Cena
IXTY08N100D2 Nabídka
IXTY08N100D2 Nejnižší cena
IXTY08N100D2 Vyhledávání
IXTY08N100D2 Nákup
IXTY08N100D2 Chip