Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTD1R4N60P 11
MOSFET N-CH 600V
Číslo dílu
IXTD1R4N60P 11
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Obsolete
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48823 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTD1R4N60P 11
IXTD1R4N60P 11 Elektronické komponenty
IXTD1R4N60P 11 Odbyt
IXTD1R4N60P 11 Dodavatel
IXTD1R4N60P 11 Distributor
IXTD1R4N60P 11 Datová tabulka
IXTD1R4N60P 11 Fotky
IXTD1R4N60P 11 Cena
IXTD1R4N60P 11 Nabídka
IXTD1R4N60P 11 Nejnižší cena
IXTD1R4N60P 11 Vyhledávání
IXTD1R4N60P 11 Nákup
IXTD1R4N60P 11 Chip