Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXKR25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Číslo dílu
IXKR25N80C
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
ISOPLUS247™
Dodavatelský balíček zařízení
ISOPLUS247™
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Super Junction
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
355nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18642 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXKR25N80C
IXKR25N80C Elektronické komponenty
IXKR25N80C Odbyt
IXKR25N80C Dodavatel
IXKR25N80C Distributor
IXKR25N80C Datová tabulka
IXKR25N80C Fotky
IXKR25N80C Cena
IXKR25N80C Nabídka
IXKR25N80C Nejnižší cena
IXKR25N80C Vyhledávání
IXKR25N80C Nákup
IXKR25N80C Chip