Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Číslo dílu
IXFB120N50P2
Výrobce/značka
Série
HiPerFET™, PolarHV™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS264™
Ztráta energie (max.)
1890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
43 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17191 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFB120N50P2
IXFB120N50P2 Elektronické komponenty
IXFB120N50P2 Odbyt
IXFB120N50P2 Dodavatel
IXFB120N50P2 Distributor
IXFB120N50P2 Datová tabulka
IXFB120N50P2 Fotky
IXFB120N50P2 Cena
IXFB120N50P2 Nabídka
IXFB120N50P2 Nejnižší cena
IXFB120N50P2 Vyhledávání
IXFB120N50P2 Nákup
IXFB120N50P2 Chip