Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Číslo dílu
SPS02N60C3
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO251-3
Ztráta energie (max.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45320 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPS02N60C3
SPS02N60C3 Elektronické komponenty
SPS02N60C3 Odbyt
SPS02N60C3 Dodavatel
SPS02N60C3 Distributor
SPS02N60C3 Datová tabulka
SPS02N60C3 Fotky
SPS02N60C3 Cena
SPS02N60C3 Nabídka
SPS02N60C3 Nejnižší cena
SPS02N60C3 Vyhledávání
SPS02N60C3 Nákup
SPS02N60C3 Chip