Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPI08N80C3
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Číslo dílu
SPI08N80C3
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO262-3
Ztráta energie (max.)
104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38372 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPI08N80C3
SPI08N80C3 Elektronické komponenty
SPI08N80C3 Odbyt
SPI08N80C3 Dodavatel
SPI08N80C3 Distributor
SPI08N80C3 Datová tabulka
SPI08N80C3 Fotky
SPI08N80C3 Cena
SPI08N80C3 Nabídka
SPI08N80C3 Nejnižší cena
SPI08N80C3 Vyhledávání
SPI08N80C3 Nákup
SPI08N80C3 Chip