Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SPB02N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
Číslo dílu
SPB02N60C3ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35740 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SPB02N60C3ATMA1
SPB02N60C3ATMA1 Elektronické komponenty
SPB02N60C3ATMA1 Odbyt
SPB02N60C3ATMA1 Dodavatel
SPB02N60C3ATMA1 Distributor
SPB02N60C3ATMA1 Datová tabulka
SPB02N60C3ATMA1 Fotky
SPB02N60C3ATMA1 Cena
SPB02N60C3ATMA1 Nabídka
SPB02N60C3ATMA1 Nejnižší cena
SPB02N60C3ATMA1 Vyhledávání
SPB02N60C3ATMA1 Nákup
SPB02N60C3ATMA1 Chip