Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL40B212
MOSFET N-CH 40V 195A
Číslo dílu
IRL40B212
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
231W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
137nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8320pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19304 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL40B212
IRL40B212 Elektronické komponenty
IRL40B212 Odbyt
IRL40B212 Dodavatel
IRL40B212 Distributor
IRL40B212 Datová tabulka
IRL40B212 Fotky
IRL40B212 Cena
IRL40B212 Nabídka
IRL40B212 Nejnižší cena
IRL40B212 Vyhledávání
IRL40B212 Nákup
IRL40B212 Chip